如何為CVD設備選型

前記:化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,理論上即:兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內,然后他們相互之間發生化學反應,形成一種新的材料,沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設備則由三套及以上的設備組合而成即:高溫爐(提供實驗溫度)+供氣系統(提供多種氣體混合)+真空系統(提供實驗環境)?;瘜W氣相沉積(CVD)設備的靈活度很高,客戶可根據自己實驗要求選擇合適的產品來組合,或者直接選擇套裝(請點擊這里)。
建議:如果您是在分開購買CVD設備時最好跟科晶人員溝通是否需要一些必須的配件,以防分體購買CVD中的設備造成配件不全不能立即實驗的問題。
一.高溫爐選擇(CVD系統中一般是管式爐):高溫爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度

1、如何選擇管式爐?(請點擊此鏈接)

二、供氣系統選擇:
  • 供氣系統即混氣裝置,它可以實現2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合,然后通入高溫爐中

  • 本公司根據流量計的不同分為2類

1.氣體流量計:
  • 浮子流量計:氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。如GSL-2F、GSL-3F

  • 質量流量計:氣體通過D07質量流量計精確控制進氣量。如GSL-2Z、GSL-3Z、GSL-4Z等

2、氣液混合流量計:
  • 用于液體高溫氣化后導入CVD系統的設備,有建議版和精確控制版本兩種可選


三、真空系統選擇:
  • 真空系統為CVD實驗提供實驗的真空環境,將管式爐中的空氣抽走,達到真空的環境??蛻舾鶕约簩嶒炈枵婵斩却笮〖皩嶒炈枨鍧嵆潭葋磉x擇合適的真空裝置。

  • 本公司根據真空泵的不同分為2類:

(1)低真空系統GZK-101。采用4L/S的雙級真空泵,標配電阻規真空計
(2)高真空系統GZK-103。采用進口分子泵,自帶真空計。GZK-103G。采用國產分子泵,自帶真空計
(3)另,若經費有限,客戶也可以只購買單獨的真空泵、真空計和真空泵連接配件來實現抽真空的步驟


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管徑與坩堝對照表

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如何根據應用選擇本公司濺射鍍膜儀或蒸鍍儀

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